未来物質領域M1コロキウム 2011年11月16日 第1発表者
櫛崎 貴吉(田中研)
藤原 宏平
Preparation of (Fe,Mn)3O4 nanoconstriction for magnetic memory application
Magnetoresistance (MR) effect in magnetic heterostructures is responsible for the important role in current electronics, i.e. the operating principle of magnetic recording media and magnetic random access memories. In order to upgrade their functionality, the enhancement of MR has been attempted using various materials and device structures. Magnetite (Fe3O4) and its derivatives are promising candidates for this purpose due to the high spin polarization close to 100%. However, large MR has not yet been observed at room temperature. This is mainly because of the difficulty in controlling the heterointerface. We aim to realize the large MR by fabricating a nanoconstriction composed of a single material. In this presentation, we will introduce the origin of the MR effect in the nanoconstriction and report on the current status of nanofabrication for Mn-doped Fe3O4.
磁気メモリ応用を目指した(Fe, Mn)3O4ナノ狭窄構造の作製
磁性体複合構造で発現する磁気抵抗効果(MR)は、磁気記録メディア・磁気ランダムアクセスメモリの動作の核心を担う重要現象である。 高効率のデバイス特性を実現すべく、様々な材料・デバイス構造においてMR増大が試みられている。 Fe3O4系材料は理想値100%に近い高スピン偏極率を持つことから、巨大MRの発現が期待されている。 しかし、ヘテロ接合界面の制御の難しさ故、未だに室温での巨大MRは観測されていない。 我々は、単一材料の”ナノ狭窄領域”で発現するある種の磁気抵抗効果に着目し、鉄酸化物における巨大磁気抵抗効果の実現を目指している。 本発表では、狭窄領域における磁気抵抗効果発現のメカニズムを概説し、MnドープしたFe3O4に対するナノ構造化の取り組みについて報告する。