未来物質領域M1コロキウム 2011年10月19日 第2発表者
神薗 建太（芦田研究室）
芦田 昌明
Controlling the thickness of CuCl thin films and improving their quality by means of MBE method
Electronic communication devices, widely used in our daily life, have drawbacks in the limited transmission rate and higher energy losses. So, all-optical switch has attracted much attention to solve these problems. Here strong optical nonlinearity based on the interaction between light and matter is crucial. To enhance the interaction, we have focused on the confinement effect of excitons, which are the lowest excited states of semiconductors, in thin films. We used CuCl, which is suitable for the research on confined effect of center-of-mass motion of the excitons because of their small Bohr radius caused by the strong interaction with light. I will introduce the result of my research to determine the appropriate condition of fabricating CuCl thin films to by means of molecular beam epitaxy (MBE) method.
MBE法によるCuCl薄膜作製の膜厚制御と品質向上
日常生活の中で広く普及している電子通信デバイスは電子の伝送速度の限界や高いエネルギー損失といった欠点がついて回る。 そこで、これらを解消する一つの手段として考案されているのが全光型光スイッチである。ここでは光と物質との相互作用に基づいた強い光学非線形性が極めて重要である。 この相互作用を増強するために、私たちは半導体内の最低励起状態である励起子を薄膜内部で閉じ込める効果に注目している。 私たちは薄膜の材料としてCuClを用いたが、CuClは励起子と光の相互作用が強く励起子ボーア半径が小さいため、励起子重心閉じ込めの研究に最適である。 今回は分子線エピタキシャル(MBE)法を用いてCuCl薄膜を作製するための条件を決定することを目的とした研究の成果を紹介する。
T. Itoh, M. Furumiya, and T. Ikehara, Solid State Commun. 73, 271 (1990).
H. Ishihara, J. Kishimoto and K. Sugihara, J. Lumin. 108, 343 (2004).
M. Ichimiya, M. Ashida, H. Yasuda, H. Ishihara, and T. Itoh, Phys. Rev. Lett. 103, 257401 (2009).