平成23年度未来物質領域M1コロキウム

未来物質領域M1コロキウム　2011年6月22日　第3発表者

Title: Optical properties and carrier dynamics of self-assembled GaN quantum dots

Abstract: Recently, commercially blue light emitting devices are available. Gallium Nitride is a good material for devices emitting light of short wavelengths. People can make a nanometer sized semiconductor material called Quantum dots (QDs). The QDs show interesting characters which are not seen in bulk materials. This is due to the quantum confinement of carriers. To understand carrier dynamics in QDs is urgent for the realization of QD devices. There are several techniques to fabricate QDs such as epitaxial growth method with strain energy, synthesis in organic solution, laser ablation and so on. This time, I will introduce an article about QDs of GaN. The authors fabricated self-assembled GaN quantum dots by an epitaxial growth method. They revealed carrier dynamics by investigating the temperature dependence of photoluminescence of the QDs of GaN.

日本語概要: 近年、青色の発光ダイオードが市販されており、窒化ガリウムはその短波長領域発光素子の材料である。半導体をナノメートルサイズにしたものを量子ドットとよび、量子ドットはキャリアの閉じ込め効果からバルク結晶では生じない興味深い物性が現れる。この特性を用いた応用が提案されており、量子ドットのキャリアダイナミクスを知ることが重要となっている。量子ドットの作製方法として薄膜形成方法や、有機溶媒中での合成、レーザーアブレーションなどがある。今回は薄膜成長装置を用いて窒化ガリウムの自己形成量子ドット作製し、その発光の温度依存性からそのキャリアダイナミクスを調べた論文を紹介する。